onsemi, NXH300B100H4Q2F2SG Q2BOOST-PIM53 IGBTモジュール 1000 V 表面

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梱包形態
RS品番:
245-6971
メーカー型番:
NXH300B100H4Q2F2SG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

IGBTモジュール

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

1000V

最大許容損失Pd

79W

トランジスタ数

6

パッケージ型式

Q2BOOST-PIM53

取付タイプ

表面

動作温度 Min

-40°C

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

20 V

動作温度 Max

150°C

シリーズ

NXH300B100H4Q2F2SG

規格 / 承認

RoHS

高さ

17.6mm

長さ

93.1mm

幅

47.3 mm

自動車規格

なし

ON SemiconductorのQ2BOOSTモジュールは、高性能IGBTと1200 V SiCダイオードを組み合わせた高密度集積パワー・モジュールです。

フィールドストップ技術による極めて効率的なトレンチ

低スイッチング損失によりシステムの電力損失を低減

モジュール設計による高い電力密度

低誘導性レイアウト

3チャンネルQ2BOOSTパッケージ

鉛不使用デバイスs

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