onsemi, NXH300B100H4Q2F2SG Q2BOOST-PIM53 IGBTモジュール 1000 V 表面
- RS品番:
- 245-6971
- メーカー型番:
- NXH300B100H4Q2F2SG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 1 | ￥22,657 |
| 2 - 16 | ￥22,324 |
| 17 - 22 | ￥21,990 |
| 23 - 29 | ￥21,658 |
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- RS品番:
- 245-6971
- メーカー型番:
- NXH300B100H4Q2F2SG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | IGBTモジュール | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 1000V | |
| トランジスタ数 | 6 | |
| 最大許容損失Pd | 79W | |
| パッケージ型式 | Q2BOOST-PIM53 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | 20 V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 93.1mm | |
| 高さ | 17.6mm | |
| シリーズ | NXH300B100H4Q2F2SG | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ IGBTモジュール | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 1000V | ||
トランジスタ数 6 | ||
最大許容損失Pd 79W | ||
パッケージ型式 Q2BOOST-PIM53 | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO 20 V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 93.1mm | ||
高さ 17.6mm | ||
シリーズ NXH300B100H4Q2F2SG | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
ON SemiconductorのQ2BOOSTモジュールは、高性能IGBTと1200 V SiCダイオードを組み合わせた高密度集積パワー・モジュールです。
フィールドストップ技術による極めて効率的なトレンチ
低スイッチング損失によりシステムの電力損失を低減
モジュール設計による高い電力密度
低誘導性レイアウト
3チャンネルQ2BOOSTパッケージ
鉛不使用デバイスs
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