onsemi 93x47(PRESSFIT)(鉛不使用 / ハロゲン化物不使用圧入ピン)、Q2BOOST - PIM53 IGBTモジュール 1000 V, 73 A
- RS品番:
- 245-6971
- メーカー型番:
- NXH300B100H4Q2F2SG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
ボリュームディスカウント対象商品
1個小計:*
¥19,441.00
(税抜)
¥21,385.10
(税込)
¥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 36 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 1 | ¥19,441 |
| 2 - 16 | ¥19,155 |
| 17 - 22 | ¥18,869 |
| 23 - 29 | ¥18,583 |
| 30 + | ¥18,298 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 245-6971
- メーカー型番:
- NXH300B100H4Q2F2SG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 最大連続コレクタ電流 | 73 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1000 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| 最大パワー消費 | 79 W | |
| トランジスタ数 | 6 | |
| パッケージタイプ | 93x47(PRESSFIT)(鉛不使用 / ハロゲン化物不使用圧入ピン)、Q2BOOST - PIM53 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
最大連続コレクタ電流 73 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 1000 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
最大パワー消費 79 W | ||
トランジスタ数 6 | ||
パッケージタイプ 93x47(PRESSFIT)(鉛不使用 / ハロゲン化物不使用圧入ピン)、Q2BOOST - PIM53 | ||
ON SemiconductorのQ2BOOSTモジュールは、高性能IGBTと1200 V SiCダイオードを組み合わせた高密度集積パワー・モジュールです。
フィールドストップ技術による極めて効率的なトレンチ
低スイッチング損失によりシステムの電力損失を低減
モジュール設計による高い電力密度
低誘導性レイアウト
3チャンネルQ2BOOSTパッケージ
鉛不使用デバイスs
低スイッチング損失によりシステムの電力損失を低減
モジュール設計による高い電力密度
低誘導性レイアウト
3チャンネルQ2BOOSTパッケージ
鉛不使用デバイスs
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
関連ページ
- onsemi 93x47(PRESSFIT)(鉛不使用 / ハロゲン化物不使用圧入ピン)、Q2BOOST - PIM53 IGBTモジュール 1000 V, 73 A
- onsemi ケース: 180BF(鉛不使用、ハロゲン化物不使用) 圧入ピン IGBTモジュール 1200 V, 61 A
- onsemi Q0BOOST - ケース180AJ(鉛/ハロゲン未使用圧入ピン) IGBTモジュール
- onsemi Q0BOOST - ケース180AJ(鉛/ハロゲン未使用圧入ピン) IGBTモジュール 1200 V, 61 A
- onsemi Q2PACK(鉛不使用 / ハロゲン化物不使用) IGBTモジュール 1000 V, 303 A
- onsemi Q2BOOST - ケース180BG(鉛/ハロゲン未使用圧入ピン) IGBTモジュール 1000 V, 101 A
- onsemi Q2BOOST - ケース180BR(鉛/ハロゲン未使用圧入ピン) IGBTモジュール 1000 V, 101 A
- onsemi F1-4PACK サーマルインターフェースマテリアル(TIM)(鉛不使用、ハロゲン化物不使用)塗布済みプレスフィットピン IGBTモジュール
