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|---|---|---|
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| 42 - 189 | ￥14,427.905 | ￥302,986 |
| 210 - 294 | ￥14,333.524 | ￥301,004 |
| 315 - 399 | ￥14,239.238 | ￥299,024 |
| 420 + | ￥14,145.00 | ￥297,045 |
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- RS品番:
- 245-6983
- メーカー型番:
- NXH40B120MNQ1SNG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | IGBTモジュール | |
| 最大許容損失Pd | 156W | |
| トランジスタ数 | 3 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 32.8 mm | |
| 長さ | 55.2mm | |
| 高さ | 13.9mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| シリーズ | NXH40B120MNQ1SNG | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ IGBTモジュール | ||
最大許容損失Pd 156W | ||
トランジスタ数 3 | ||
取付タイプ 表面 | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 32.8 mm | ||
長さ 55.2mm | ||
高さ 13.9mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
シリーズ NXH40B120MNQ1SNG | ||
自動車規格 なし | ||
フルSiC MOSFETモジュール | EliteSiC 3チャンネルフルSiCブースト、1200 V、40モームSiC MOSFET + 1200 V、40 A SiCダイオードニッケルめっきDBC
ON SemiconductorのNXH40B120MNQ1SNGは、3チャネル昇圧段を含む電源モジュールです。統合されたSiC MOSFETとSiCダイオードは、伝導損失とスイッチング損失を低減し、設計者が高効率と優れた信頼性を実現できるようにします。
20 m/1200 V SiC MOSFETハーフブリッジ
サーミスタオプション: サーマルインターフェースマテリアル塗布済み、TIM塗布なし
圧入ピン
フリー、ハロゲン化物フリー、RoHS対応
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