onsemi Q1 3チャンネルBOOST - ケース180BQはんだピン（鉛フリー） IGBTモジュール
- RS品番:
- 245-6983
- メーカー型番:
- NXH40B120MNQ1SNG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 21 - 21 | ￥14,522.143 | ￥304,965 |
| 42 - 189 | ￥14,427.905 | ￥302,986 |
| 210 - 294 | ￥14,333.524 | ￥301,004 |
| 315 - 399 | ￥14,239.238 | ￥299,024 |
| 420 + | ￥14,145.00 | ￥297,045 |
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- RS品番:
- 245-6983
- メーカー型番:
- NXH40B120MNQ1SNG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| トランジスタ数 | 3 | |
| 最大パワー消費 | 156 W | |
| パッケージタイプ | Q1 3チャンネルBOOST - ケース180BQはんだピン（鉛フリー） | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
トランジスタ数 3 | ||
最大パワー消費 156 W | ||
パッケージタイプ Q1 3チャンネルBOOST - ケース180BQはんだピン（鉛フリー） | ||
フルSiC MOSFETモジュール | EliteSiC 3チャンネルフルSiCブースト、1200 V、40モームSiC MOSFET + 1200 V、40 A SiCダイオードニッケルめっきDBC
ON SemiconductorのNXH40B120MNQ1SNGは、3チャネル昇圧段を含む電源モジュールです。統合されたSiC MOSFETとSiCダイオードは、伝導損失とスイッチング損失を低減し、設計者が高効率と優れた信頼性を実現できるようにします。
20 m/1200 V SiC MOSFETハーフブリッジ
サーミスタオプション: サーマルインターフェースマテリアル塗布済み、TIM塗布なし
圧入ピン
フリー、ハロゲン化物フリー、RoHS対応
サーミスタオプション: サーマルインターフェースマテリアル塗布済み、TIM塗布なし
圧入ピン
フリー、ハロゲン化物フリー、RoHS対応
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