STMicroelectronics TO-220 IGBT, 650 V, 40 A, 3ピン
- RS品番:
- 204-9875
- メーカー型番:
- STGP20H65DFB2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 204-9875
- メーカー型番:
- STGP20H65DFB2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| プロダクトタイプ | IGBT | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 (Vceo) | 650 V | |
| 最大連続コレクタ電流 (Ic) | 40 A | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ゲートエミッタ電圧(VGEO) | 20 V | |
| トランジスタ数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
プロダクトタイプ IGBT | ||
最大コレクタエミッタ電圧 (Vceo) 650 V | ||
最大連続コレクタ電流 (Ic) 40 A | ||
ピン数 3 | ||
最大ゲートエミッタ電圧(VGEO) 20 V | ||
トランジスタ数 1 | ||
- COO（原産国）:
- CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
Maximum junction temperature : TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
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