型番

STMicroelectronics TO-220 IGBT, 650 V, 40 A, 3ピン

RS品番:: 204-9876
メーカー型番:: STGP20H65DFB2
メーカー/ブランド名:: STMicroelectronics

STMicroelectronics TO-220 IGBT, 650 V, 40 A, 3ピン

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RS品番:: 204-9876
メーカー型番:: STGP20H65DFB2
メーカー/ブランド名:: STMicroelectronics

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	STMicroelectronics
	パッケージ型式	TO-220
	プロダクトタイプ	IGBT
	最大コレクタエミッタ電圧 (Vceo)	650 V
	最大連続コレクタ電流 (Ic)	40 A
	ピン数	3
	最大ゲートエミッタ電圧(VGEO)	20 V
	トランジスタ数	1

	すべて選択
	ブランド STMicroelectronics
	パッケージ型式 TO-220
	プロダクトタイプ IGBT
	最大コレクタエミッタ電圧 (Vceo) 650 V
	最大連続コレクタ電流 (Ic) 40 A
	ピン数 3
	最大ゲートエミッタ電圧(VGEO) 20 V
	トランジスタ数 1

Datasheet - STGP20H65DFB2

COO（原産国）:: CN

The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Maximum junction temperature : TJ = 175 °C

Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A

Very fast and soft recovery co-packaged diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

STMicroelectronics TO-220 IGBT, 650 V, 40 A, 3ピン

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