STMicroelectronics, STGP20H65DFB2 TO-220 IGBT 650 V, 40 A, 3-Pin
- RS品番:
- 204-9876
- メーカー型番:
- STGP20H65DFB2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
- RS品番:
- 204-9876
- メーカー型番:
- STGP20H65DFB2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 40A | |
| プロダクトタイプ | IGBT | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 650V | |
| トランジスタ数 | 1 | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | 20 V | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 40A | ||
プロダクトタイプ IGBT | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 650V | ||
トランジスタ数 1 | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
ピン数 3 | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO 20 V | ||
- COO(原産国):
- CN
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2シリーズは、高度な独自のトレンチゲートフィールドストップ構造の進化を示しています。HB2シリーズの性能は、低電流値におけるより優れたVCE(sat)動作により、導通の点で最適化されており、またスイッチング・エネルギーの低減という点でも最適化されている。
最大ジャンクション温度: TJ = 175 °C
低VCE(sat) = 1.65 V (標準) @ IC = 20 A
非常に高速でソフトな回復コパッケージダイオード
テール電流の最小化
タイトなパラメータ分布
低熱抵抗
関連ページ
- STMicroelectronics TO-220 IGBT 650 V 3-Pin
- STMicroelectronics TO-220FP IGBT 650 V 3-Pin
- STMicroelectronics TO-220FP IGBT 650 V 3-Pin
- STMicroelectronics TO-220 IGBT 20 A, 3-Pin
- STMicroelectronics TO-247 IGBT 650 V 3-Pin
- STMicroelectronics TO-247 IGBT 650 V 3-Pin
- STMicroelectronics TO-247 IGBT 650 V 3-Pin
- STMicroelectronics TO-247 IGBT 650 V 3-Pin
