onsemi ケース: 180BF(鉛不使用、ハロゲン化物不使用) 圧入ピン IGBTモジュール 1200 V, 61 A
- RS品番:
- 245-6961
- メーカー型番:
- NXH100B120H3Q0PG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 245-6961
- メーカー型番:
- NXH100B120H3Q0PG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 最大連続コレクタ電流 | 61 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1200 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| トランジスタ数 | 2 | |
| 最大パワー消費 | 186 W | |
| パッケージタイプ | ケース: 180BF(鉛不使用、ハロゲン化物不使用) 圧入ピン | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
最大連続コレクタ電流 61 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 1200 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
トランジスタ数 2 | ||
最大パワー消費 186 W | ||
パッケージタイプ ケース: 180BF(鉛不使用、ハロゲン化物不使用) 圧入ピン | ||
ON Semiconductor デュアルブースト電源モジュールは、デュアルブーストステージを備えた電源モジュールです。統合されたフィールドストップトレンチIGBTとSiCダイオードは、伝導損失とスイッチング損失を低減し、設計者が高効率と優れた信頼性を達成することを可能にします。
1200 V ウルトラフィールドストップ IGBT
低逆回復及び高速スイッチングSiCダイオード
1600 Vバイパス及び逆並列ダイオード
低誘導性レイアウト
はんだ付け可能なピン又は圧入ピン
はんだ付け可能なピン又は圧入ピン
低逆回復及び高速スイッチングSiCダイオード
1600 Vバイパス及び逆並列ダイオード
低誘導性レイアウト
はんだ付け可能なピン又は圧入ピン
はんだ付け可能なピン又は圧入ピン
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