onsemi ケース 180BF IGBTモジュール 1200 V 表面
- RS品番:
- 245-6961
- メーカー型番:
- NXH100B120H3Q0PG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 245-6961
- メーカー型番:
- NXH100B120H3Q0PG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | IGBTモジュール | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 1200V | |
| トランジスタ数 | 2 | |
| 最大許容損失Pd | 186W | |
| パッケージ型式 | ケース 180BF | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | 20 V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| シリーズ | NXH100B120H3Q0PG | |
| 長さ | 55.2mm | |
| 高さ | 13.9mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ IGBTモジュール | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 1200V | ||
トランジスタ数 2 | ||
最大許容損失Pd 186W | ||
パッケージ型式 ケース 180BF | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO 20 V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
シリーズ NXH100B120H3Q0PG | ||
長さ 55.2mm | ||
高さ 13.9mm | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor デュアルブースト電源モジュールは、デュアルブーストステージを備えた電源モジュールです。統合されたフィールドストップトレンチIGBTとSiCダイオードは、伝導損失とスイッチング損失を低減し、設計者が高効率と優れた信頼性を達成することを可能にします。
1200 V ウルトラフィールドストップ IGBT
低逆回復及び高速スイッチングSiCダイオード
1600 Vバイパス及び逆並列ダイオード
低誘導性レイアウト
はんだ付け可能なピン又は圧入ピン
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