onsemi IGBTモジュール 1200 V 61 A Q0BOOST - ケース180AJ（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） 2
- RS品番:
- 245-6963
- メーカー型番:
- NXH100B120H3Q0SG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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単価： 購入単位は24 個
￥12,637.375
(税抜)
￥13,901.113
(税込)
| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 24 - 24 | ￥12,637.375 | ￥303,297.00 |
| 48 - 216 | ￥12,384.625 | ￥297,231.00 |
| 240 - 336 | ￥12,136.917 | ￥291,286.008 |
| 360 - 456 | ￥11,894.167 | ￥285,460.008 |
| 480 + | ￥11,656.292 | ￥279,751.008 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 245-6963
- メーカー型番:
- NXH100B120H3Q0SG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
ON Semiconductor デュアルブースト電源モジュールは、デュアルブーストステージを備えた電源モジュールです。統合されたフィールドストップトレンチIGBTとSiCダイオードは、伝導損失とスイッチング損失を低減し、設計者が高効率と優れた信頼性を達成することを可能にします。
1200 V ウルトラフィールドストップ IGBT
低逆回復及び高速スイッチングSiCダイオード
1600 Vバイパス及び逆並列ダイオード
低誘導性レイアウト
はんだ付け可能なピン又は圧入ピン
はんだ付け可能なピン又は圧入ピン
低逆回復及び高速スイッチングSiCダイオード
1600 Vバイパス及び逆並列ダイオード
低誘導性レイアウト
はんだ付け可能なピン又は圧入ピン
はんだ付け可能なピン又は圧入ピン
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| 最大連続コレクタ電流 | 61 A |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1200 V |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V |
| トランジスタ数 | 2 |
| 最大パワー消費 | 186 W |
| パッケージタイプ | Q0BOOST - ケース180AJ（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） |
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