onsemi Q0BOOST - ケース180AJ(鉛/ハロゲン未使用圧入ピン) IGBTモジュール

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梱包形態
RS品番:
245-6982
メーカー型番:
NXH40B120MNQ0SNG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

最大パワー消費

118 W

トランジスタ数

2

パッケージタイプ

Q0BOOST - ケース180AJ(鉛/ハロゲン未使用圧入ピン)

フルSiC MOSFETモジュール|EliteSiC 2チャンネルフルSiCブースト、1200V、40mΩ SiC MOSFET + 1200V、40A SiCダイオード ニッケルめっきDBC


ON Semiconductorの3チャンネルブーストQ1電源モジュールは、2段昇圧段を含む電源モジュールです。統合されたSiC MOSFETとSiCダイオードは、伝導損失とスイッチング損失を低減し、設計者が高効率と優れた信頼性を実現できるようにします。

1200 V 40 m SiC MOSFETs
低逆回復と高速スイッチングSiCダイオード
低逆回復と高速スイッチングSiCダイオード
低誘導性レイアウト はんだ付け対応ピン サーミスタ
鉛不使用、ハロゲン不使用、BFR不使用、RoHS準拠

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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