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ディスクリート・ディスクリート半導体
IGBT
IXYS Nチャンネル IGBT 1200 V 164 A, 3-Pin PLUS264 シングル
RS品番:
808-0237P
メーカー型番:
IXYB82N120C3H1
メーカー/ブランド名:
IXYS
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単価: (プロダクションパッケージ:スティック詰め)
¥4,360.00
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6 - 11
¥4,360.00
12 - 15
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16 - 19
¥3,010.00
20 +
¥2,560.00
梱包形態
個包装
プロダクションパッケージ(返品不可)
RS品番:
808-0237P
メーカー型番:
IXYB82N120C3H1
メーカー/ブランド名:
IXYS
データシート
その他
詳細情報
仕様
IXYN82N120C3H1, 1200V XPT IGBT, GenX3 w/ Diode, High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
IGBTディスクリート、IXYS XPTシリーズ
IXYSのXPT™シリーズのディスクリートIGBTは、極めて軽量な穴開き薄型ウエハーテクノロジーを採用しており、熱抵抗の低減とエネルギー損失の軽減を実現しています。 これらのデバイスでは、低テール電流によって高速なスイッチングが可能です。また、さまざまな業界の規格と独自仕様に沿ったパッケージが用意されています。
高電力密度及び低VCE (sat)
逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成
10 μsの短絡耐量
オン状態電圧の正温度係数
オプションのSonic-FRD™又はHiPerFRED™ダイオード付属
国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート&モジュール、IXYS
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
特性
最大連続コレクタ電流
164 A
最大コレクタ- エミッタ間電圧
1200 V
最大ゲート-エミッタ間電圧
±20V
最大パワー消費
1040 W
パッケージタイプ
PLUS264
実装タイプ
スルーホール
チャンネルタイプ
N
ピン数
3
スイッチングスピード
50kHz
トランジスタ構成
シングル
寸法
20.29 x 5.31 x 26.59mm
動作温度 Min
-55 °C
動作温度 Max
+150 °C