Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 60 V, 132 A, 3 mΩ, 39 nC, 8ピン, パッケージ：PG-WHSON-8
- RS品番:
- 284-760
- メーカー型番:
- IQE030N06NM5SCATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 284-760
- メーカー型番:
- IQE030N06NM5SCATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 132A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| パッケージ型式 | PG-WHSON-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 39nC | |
| 最大許容損失Pd | 100W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 132A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ OptiMOS | ||
パッケージ型式 PG-WHSON-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 39nC | ||
最大許容損失Pd 100W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンMOSFETは、同期整流用途で優れた設計のOptimos 5パワートランジスタを備え、比類のない性能と効率を発揮します。このパワーMOSFETは、堅牢な設計とART熱管理機能を備え、過酷な環境でも信頼性の高い動作を実現します。優れた耐熱性により、さまざまな産業用途に最適な選択肢となり、システムを最大限の信頼性と最小限の電力損失で動作させることができます。このコンポーネントは、RoHS規制に完全に準拠し、優れた機能を維持しながら、環境に優しい環境に優れています。
高効率な同期整流
効果的な性能を実現するNチャンネル構成
100%アバランチ信頼性テスト済み
ハロゲンフリーの素材により、安全な廃棄を実現
広い産業温度範囲をサポート
最小限のオンステート抵抗により、電力損失を軽減
環境サステナビリティのためのRoHS準拠
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