Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 151 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-WHSON-8, IQD063N15NM5SCATMA1

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RS品番:
351-914
メーカー型番:
IQD063N15NM5SCATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

151A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

パッケージ型式

PG-WHSON-8

シリーズ

IQD0

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.32mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

48nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

333W

動作温度 Max

175°C

幅

6 mm

高さ

0.75mm

規格 / 承認

RoHS, JEDEC, Halogen‐Free According to IEC61249‐2‐21

長さ

5mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
InfineonパワーMOSFETは、6.32 mOhmという低いRDS(on)を備え、優れた熱性能と相まって電力損失管理が容易です。さらに、デュアルサイド冷却パッケージでは、オーバーモールドパッケージに比べて 5 倍の電力を放散させることができます。これにより、多様な最終用途向けに、より高いシステム効率と電力密度を実現することができます。

最先端の 150 V シリコン技術

卓越した FOM

熱性能の向上

超低寄生容量

チップまたはパッケージ比の最大化

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