Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 99 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-WHSON-8, IQE050N08NM5SCATMA1
- RS品番:
- 284-774
- メーカー型番:
- IQE050N08NM5SCATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 5 - 45 | ￥449.60 | ￥2,248 |
| 50 - 95 | ￥427.20 | ￥2,136 |
| 100 - 495 | ￥395.80 | ￥1,979 |
| 500 - 995 | ￥363.80 | ￥1,819 |
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- RS品番:
- 284-774
- メーカー型番:
- IQE050N08NM5SCATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 99A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | PG-WHSON-8 | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 100W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 35nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 99A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 PG-WHSON-8 | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 100W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 35nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンMOSFETは、定格80VのOptiMOS 5パワートランジスタを備え、現代の電子アプリケーションの効率と性能を向上させるために特別に設計されています。優れた同期整流を実現し、エネルギー損失を最小限に抑え、全体的なシステムの信頼性を最大化します。低オン抵抗と優れた熱管理により、このトランジスタは要求の厳しい産業用途に最適で、性能を最適化するエンジニアに最適な選択肢となっています。幅広いアバランチテストと堅牢な構造により、過酷な環境での長寿命を約束し、グローバルなRoHS規格に準拠し、安全性とサステナビリティに対する強いコミットメントを確保します。
同期整流に最適化
回路統合を容易にするNチャンネル
低オン抵抗により、発熱を低減
優れた耐熱性により、過熱を防止
信頼性の高い100%アバランチテスト済み
鉛フリーリードめっきにより、環境に優しい製造を実現
規制に適合するハロゲンフリー構造
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