Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 400 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSOF-8, IPT60R055CFD7XTMA1

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梱包形態
RS品番:
250-0595
メーカー型番:
IPT60R055CFD7XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

400A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

IPT

パッケージ型式

HSOF-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

81W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon CoolMOSは、高電圧パワーMOSFET用の革新的な技術で、スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計されており、Infineon技術によってパイオニアとなっています。最新のCoolMOS CFD7は、CoolMOS CFD2シリーズの後継品で、位相シフトフルブリッジ(ZVS)やLLCなどのソフトスイッチングアプリケーション向けに最適化されたプラットフォームでゲート負荷(Qg)の低減、クラス最高の逆回復負荷(Qrr)及び改善されたCoolMOS CFD7のターンオフ動作 は、共振トポロジーで最高の効率を実現しています。

SMD及びTHDパッケージにおけるクラス最高のRDS(on)、

優れたハードコミュテーションの堅牢性、

共振トポロジにおける最高の信頼性、

優れた使いやすさと性能のトレードオフで最高効率を実現

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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