Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 323 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQD016N08NM5CGATMA1

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RS品番:
284-931
メーカー型番:
IQD016N08NM5CGATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

323A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

PG-TTFN-9

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

9

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.57mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

106nC

最大許容損失Pd

333W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21

自動車規格

なし

インフィニオンMOSFETは、先進的なNチャンネル設計で優れた性能を発揮するように設計されたOptiMOS 5パワートランジスタを備えています。この堅牢なコンポーネントは、高効率と低オン抵抗が最も重要な用途に最適です。80Vのブレークダウン電圧で動作し、過酷な環境下でも信頼性の高い動作を保証します。優れた耐熱性プロファイルを備えたこのパワートランジスタは、産業用途の厳しさに耐えるため、電力管理システムのエネルギー効率を向上させるためのエンジニア向けのソリューションです。さらに、幅広い検証プロセスにより、信頼性と安全性の最高水準に適合することが保証され、設計の性能と耐久性の両方を確保します。

効率的な電力伝導を実現するNチャンネル

低オン抵抗で電力損失を最小化

優れた熱管理で長寿命を実現

安定性に関する100%アバランチテスト済み

鉛フリー、RoHS準拠

ハロゲンフリー構造により安全性を向上

産業用途に関するJEDECに準拠

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