Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 273 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQD020N10NM5CGATMA1

RS品番:: 284-934
メーカー型番:: IQD020N10NM5CGATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 273 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQD020N10NM5CGATMA1

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RS品番:: 284-934
メーカー型番:: IQD020N10NM5CGATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	273A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	シリーズ	OptiMOS
	パッケージ型式	PG-TTFN-9
	取付タイプ	表面
	ピン数	9
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	2.05mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	333W
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS Compliant
	自動車規格	なし

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	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 273A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	シリーズ OptiMOS
	パッケージ型式 PG-TTFN-9
	取付タイプ表面
	ピン数 9
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.05mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 333W
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS Compliant
	自動車規格なし

Datasheet - IQD020N10NM5CGATMA1

インフィニオンMOSFETには、OptiMOS 5パワートランジスタが搭載されており、要求の厳しい産業用途に最適化されたMOSFET技術の大きな進歩を示しています。この堅牢なトランジスタは、優れた熱管理で優れた性能を発揮するように設計されており、効率的なエネルギー変換と管理を必要とするシステムに最適です。100Vの定格電圧と優れた低オン抵抗を備えたこの製品は、低エネルギー損失を維持しながら、強化された電力処理機能を実現します。信頼性の高い性能は、幅広い検証によりサポートされ、さまざまな動作条件で確実な機能を実現します。

効率的なスイッチングのためのNチャンネル設計

低オン抵抗で電力損失を最小化

優れた耐熱性により寿命を延長

信頼性の高い100%アバランチテスト済み

環境に配慮したRoHS準拠

環境基準に準拠するためのハロゲンフリー素材

高温環境における高い信頼性

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 273 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQD020N10NM5CGATMA1

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