Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 273 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQD020N10NM5CGATMA1

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RS品番:
284-934
メーカー型番:
IQD020N10NM5CGATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

273A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

PG-TTFN-9

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

9

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.05mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

333W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS Compliant

自動車規格

なし

インフィニオンMOSFETには、OptiMOS 5パワートランジスタが搭載されており、要求の厳しい産業用途に最適化されたMOSFET技術の大きな進歩を示しています。この堅牢なトランジスタは、優れた熱管理で優れた性能を発揮するように設計されており、効率的なエネルギー変換と管理を必要とするシステムに最適です。100Vの定格電圧と優れた低オン抵抗を備えたこの製品は、低エネルギー損失を維持しながら、強化された電力処理機能を実現します。信頼性の高い性能は、幅広い検証によりサポートされ、さまざまな動作条件で確実な機能を実現します。

効率的なスイッチングのためのNチャンネル設計

低オン抵抗で電力損失を最小化

優れた耐熱性により寿命を延長

信頼性の高い100%アバランチテスト済み

環境に配慮したRoHS準拠

環境基準に準拠するためのハロゲンフリー素材

高温環境における高い信頼性

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