Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 25 V, 789 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQDH29NE2LM5CGATMA1

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RS品番:
284-939
メーカー型番:
IQDH29NE2LM5CGATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

789A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

25V

パッケージ型式

PG-TTFN-9

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

9

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.29mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

278W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS Compliant

自動車規格

なし

インフィニオンMOSFETは、オプティモス5パワートランジスタを備え、様々な産業用途において卓越した性能を発揮するよう設計されています。この最先端のNチャンネルトランジスタは、最大電圧25 Vで動作し、優れた低オン抵抗と強化された熱管理を実現します。優れた789Aの連続ドレイン電流容量により、過酷な条件下でも効率的に動作できます。信頼性の高い製品で、JEDEC規格に準拠して完全に認定されており、日常的な使用において長寿命と耐久性を確保します。

先進的な耐熱性により長寿命を実現

ゼロゲート電圧ドレイン電流により、エネルギーの無駄を最小限に抑制

堅牢なアバランチエネルギー処理により、信頼性を向上

環境に配慮した鉛フリーとRoHS準拠

ロジックレベル用途向けに最適化

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