型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK155N60EF-T1GE3

RS品番:: 279-9918
メーカー型番:: SIHK155N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK155N60EF-T1GE3

ボリュームディスカウント対象商品

1個小計：*

￥1,025.00

￥1,127.50

￥3,000円を超える注文については、送料無料

在庫あり

2,000 は海外在庫あり

「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個	単価
1 - 49	￥1,025
50 - 99	￥904
100 - 249	￥786
250 - 999	￥675
1000 +	￥555

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:: 279-9918
メーカー型番:: SIHK155N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	18A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	600V
	パッケージ型式	PowerPAK 10 x 12
	シリーズ	SIHK
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.159Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	38nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	±30 V
	最大許容損失Pd	156W
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	150°C
	長さ	9.9mm
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 18A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V
	パッケージ型式 PowerPAK 10 x 12
	シリーズ SIHK
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.159Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 38nC
	最大ゲートソース電圧Vgs ±30 V
	最大許容損失Pd 156W
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 150°C
	長さ 9.9mm
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

Vishay MOSFETは、ファストボディダイオードを備えたEシリーズパワーMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

第4世代Eシリーズ技術

低メリット数値(FOM)ロン x Qg

低効果静電容量

アバランシェエネルギー定格

スイッチング及び伝導損失の削減

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK155N60EF-T1GE3

￥3,000円を超える注文については、送料無料

関連ページ