Vishay MOSFET, Nチャンネル, 34 A, 表面実装, 8 ピン, SIHK065N60E-T1-GE3
- RS品番:
- 239-5379
- メーカー型番:
- SIHK065N60E-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 239-5379
- メーカー型番:
- SIHK065N60E-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 34 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V | |
| パッケージタイプ | PowerPAK 10 x 12 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 34 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 650 V | ||
パッケージタイプ PowerPAK 10 x 12 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
Vishay EシリーズパワーMOSFETのドレイン電流は34 Aです。サーバー及び通信電源、スイッチング電源(SMPS)、力率改善電源(PFC)に使用されます。
第4世代Eシリーズ技術
低い性能指数(FOM)RonxQg
低実効容量(Co(er))
スイッチング損失と伝導損失を低減
アバランシエネルギー定格(UIS)
低い性能指数(FOM)RonxQg
低実効容量(Co(er))
スイッチング損失と伝導損失を低減
アバランシエネルギー定格(UIS)
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