Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 60 V, 60 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8S, SISS26DN-T1-UE3

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RS品番:
736-351
メーカー型番:
SISS26DN-T1-UE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N チャネル

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

SISS26DN

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8S

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0045Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

24.5nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

1.1V

最大許容損失Pd

57W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

幅

3.3mm

長さ

3.3mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
IL
Vishay NチャンネルMOSFETは、電力管理用途向けに設計されており、過酷な電子環境に最適化された堅牢な仕様と効率的な動作を備えています。

TrenchFET Gen IVテクノロジーにより、優れた性能と効率を実現

最大ドレインソース電圧60 Vに対応

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