Vishay シングルMOSFET, Nチャンネル, 80 V, 125 A, 0.00288 Ω, 55 nC, 8ピン, パッケージ：P
- RS品番:
- 829-343
- メーカー型番:
- SIR680ADP-T1-UE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
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個 | 単価 |
|---|---|
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| 10 - 24 | ￥308 |
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| 100 - 499 | ￥177 |
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- RS品番:
- 829-343
- メーカー型番:
- SIR680ADP-T1-UE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | シングルMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 125A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | SIR | |
| パッケージ型式 | P | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.00288Ω | |
| チャンネルモード | 強化モード | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 55nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 104W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 5.15mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 長さ | 6.15mm | |
| 高さ | 1.04mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ シングルMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 125A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ SIR | ||
パッケージ型式 P | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.00288Ω | ||
チャンネルモード 強化モード | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 55nC | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 104W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 5.15mm | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
長さ 6.15mm | ||
高さ 1.04mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- IL
VishayパワーMOSFETは、効率的なスイッチング用途向けに設計されており、回路設計においてスペース利用と熱性能を最適化するコンパクト設計を採用しています。
優れた性能を発揮するTrenchFET Gen IVテクノロジーを採用したNチャンネル80 V MOSFET
非常に低いR-DS(on)定格により、動作中の電力損失を低減
300 Aのパルスドレイン電流容量により、要求の厳しい用途に対応
強化された熱特性により、高温での信頼性を確保
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