Vishay シングルMOSFET, Nチャンネル, 80 V, 149 A, 0.0026 Ω, 38.5 nC, 8ピン, パッケージ:P

N
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RS品番:
829-365
メーカー型番:
SIR580LDP-T1-UE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

149A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

P

シリーズ

SI

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0026Ω

チャンネルモード

強化モード

最大許容損失Pd

104W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

38.5nC

動作温度 Max

150°C

長さ

6.15mm

高さ

1.04mm

5.15mm

規格 / 承認

RoHS Compliant

自動車規格

なし

COO(原産国):
DE
Vishay NチャンネルMOSFETは、高効率スイッチング用途向けに設計されており、低オン抵抗と包括的なテスト認証により、過酷な条件下でも堅牢な性能を発揮します。

ドレイン・ソース間電圧80 Vに対応し、さまざまな条件下で信頼性の高い動作を実現

10 Vでわずか0.0026Ωの最大オン抵抗を備え、エネルギー効率を向上

1~2.5 Vの低ゲートしきい値電圧を内蔵し、幅広い回路との互換性を向上

149 Aの堅牢な連続ドレイン電流を実現し、高出力用途に最適

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