Vishay シングルMOSFET, Nチャンネル, 100 V, 14.2 A, 0.054 Ω, 6.5 nC, 8ピン, パッケージ：P
- RS品番:
- 829-345
- メーカー型番:
- SISS110DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
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- RS品番:
- 829-345
- メーカー型番:
- SISS110DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | シングルMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 14.2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | P | |
| シリーズ | SISS | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.054Ω | |
| チャンネルモード | 強化モード | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| 最大許容損失Pd | 24W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 高さ | 1.04mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 幅 | 3.3mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ シングルMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 14.2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 P | ||
シリーズ SISS | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.054Ω | ||
チャンネルモード 強化モード | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6.5nC | ||
最大許容損失Pd 24W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.3mm | ||
高さ 1.04mm | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
幅 3.3mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- IL
Vishay NチャンネルMOSFETは、優れた伝導能力を備えた効率的な電力管理ソリューションを提供します。要求の厳しい用途向けに設計されており、優れたスイッチング性能と熱性能を発揮します。
TrenchFET Gen IVテクノロジーを採用し、優れた効率と性能を発揮
100 % RDS(on)とUISを保証し、動作中の信頼性をテスト
11 Aの連続ドレイン電流定格により、堅牢な供給を実現
低RDS(on)値に最適化され、熱性能を向上
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