Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 127.5 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiSS63DN-T1-GE3

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RS品番:
200-6848
メーカー型番:
SiSS63DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

127.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

PowerPAK 1212

シリーズ

TrenchFET Gen III

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

65.8W

最大ゲートソース電圧Vgs

±12 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

236nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Max

150°C

幅

3.3 mm

高さ

3.3mm

長さ

3.3mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay SiSS63DN-T1-GE3 は、 P チャンネル 20 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen III pチャンネルパワーMOSFET

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100 % Rg及びUISテスト済み

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