STMicroelectronics MOSFET, N チャネルチャンネル, 250 V, 56 A, 18 mΩ, 85 nC, 3ピン, パッケージ:TO-263
- RS品番:
- 830-840
- メーカー型番:
- STB25N018M9
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
N
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- RS品番:
- 830-840
- メーカー型番:
- STB25N018M9
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N チャネル | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 56A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 250V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | STB Series | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 18mΩ | |
| チャンネルモード | 強化モード | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 85nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 320W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 4.5mm | |
| 幅 | 10mm | |
| 規格 / 承認 | ROHS | |
| 長さ | 10.3mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N チャネル | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 56A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 250V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ STB Series | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 18mΩ | ||
チャンネルモード 強化モード | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 85nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 320W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 4.5mm | ||
幅 10mm | ||
規格 / 承認 ROHS | ||
長さ 10.3mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
STMicroelectronicsパワーMOSFETは、高度なMDmesh M9技術に基づいたNチャンネルスーパージャンクションコンポーネントです。熱容量を損なうことなく、より小型でコンパクトなレイアウトを実現します。
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