STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 33 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, STB42N65M5

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梱包形態
RS品番:
761-0402
メーカー型番:
STB42N65M5
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

33A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

MDmesh M5

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

79mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

最大許容損失Pd

190W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

100nC

動作温度 Max

150°C

高さ

4.6mm

規格 / 承認

No

幅

10.4 mm

長さ

10.75mm

自動車規格

なし

STMicroelectronics N チャンネル MDmesh ™ M5 シリーズ


MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


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