STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 33 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, STB42N65M5
- RS品番:
- 761-0402
- メーカー型番:
- STB42N65M5
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- 761-0402
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- STMicroelectronics
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 33A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | MDmesh M5 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 79mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 190W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 100nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 4.6mm | |
| 長さ | 10.75mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 33A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ MDmesh M5 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 79mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 190W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 100nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 4.6mm | ||
長さ 10.75mm | ||
自動車規格 なし | ||
STMicroelectronics N チャンネル MDmesh ™ M5 シリーズ
MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
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