Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 33 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12

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RS品番:
252-0265
メーカー型番:
SIHK075N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

33A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

EF

パッケージ型式

PowerPAK 10 x 12

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.061Ω

チャンネルモード

デプレッション型

最大許容損失Pd

192W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

72nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

+150°C

長さ

6.15mm

5.15mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Vishay EFシリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧650 V、最大連続ドレイン電流33 A - SIHK075N60EF-T1GE3


このパワーMOSFETは、要求の厳しいパワーエレクトロニクスおよび自動車環境向けに設計された高電圧スイッチングデバイスです。高電圧用途に適したNチャンネルデプレッションモードトランジスタとして動作し、産業用制御および車両電子システムに電流容量と熱耐久性のバランスを提供します。

特長:


• 650 V定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 33 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート • 0.061Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減 • 192 Wの消費電力により、高い電力処理を実現 • 72 nC標準ゲート充電により、ゲートドライブのサイズを予測可能 • 20 Vの最大ゲートソース電圧により、堅牢なドライブ範囲に対応

用途


• オートメーションシステムのインバータおよびモータードライブステージに最適 • 電気自動車の高電圧DC-DCコンバータに最適 • 産業機器用電源のプライマリスイッチに使用 • トラクションおよび補助車両パワーエレクトロニクスに使用可能

運転中に耐えられる温度範囲は?


-55°C~+150°Cまで動作するように設定されており、自動車および産業設備に典型的な幅広い周囲環境および熱条件で使用できます。

設計者はボード上でどのようなパッケージタイプを考慮すべきですか?


このデバイスは、8ピンPowerPAK 10 x 12表面実装パッケージで提供されているため、そのパッケージのサーマルパッドレイアウトとはんだ付けプロファイルを適用する必要があります。

信頼性の高いスイッチングを実現するためには、どのようなゲートドライブの制限を遵守する必要がありますか?


最大ゲート-ソース電圧: 20 V

ゲートドライバは、72 nCのゲート電荷を管理するために十分なスルーを提供しながら、その制限内に留まるように設計する必要があります。

このデバイスには、認証や環境基準が記載されていますか?


RoHS要件に適合し、コンポーネント認定に関するAEC-Q101自動車規格に準拠しています。

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