Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 650 V, 33 A, 0.061 Ω, 72 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12
- RS品番:
- 252-0265
- メーカー型番:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示2000個小計, 2000のリール巻き：*
￥1,171,608
(税抜)
￥1,288,768
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2027年4月08日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | ￥585.804 | ￥1,171,608 |
| 4000 - 18000 | ￥571.517 | ￥1,143,034 |
| 20000 - 28000 | ￥564.631 | ￥1,129,262 |
| 30000 - 38000 | ￥557.909 | ￥1,115,818 |
| 40000 + | ￥551.346 | ￥1,102,692 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 252-0265
- メーカー型番:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 33A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 10 x 12 | |
| シリーズ | EF | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.061Ω | |
| チャンネルモード | デプレッション型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 72nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 192W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 長さ | 6.15mm | |
| 幅 | 5.15mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 33A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 PowerPAK 10 x 12 | ||
シリーズ EF | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.061Ω | ||
チャンネルモード デプレッション型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 72nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 192W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max +150°C | ||
長さ 6.15mm | ||
幅 5.15mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Vishay EFシリーズパワーMOSFET、ドレインソース電圧650V、消費電力192W - SIHK075N60EF-T1GE3
このパワーMOSFETは、要求の厳しいスイッチングおよび電力制御環境向けに設計された高電圧Nチャンネル半導体です。広い温度範囲で動作し、コンパクトなアセンブリに適した低プロファイルの表面実装パッケージで提供されます。このデバイスは、限られたフットプリントで大幅な連続電流処理と堅牢な電圧能力を必要とする用途向けに設計されています。
特長：
• ドレイン-ソース間定格電圧 650V により、高電圧スイッチングが可能
• 連続ドレイン電流 33A により、高負荷動作に対応
• 0.061Ω のRds(on)により、負荷時の導通損失を低減
• 最大許容電力 192W により、高出力処理に対応
• 72nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作を実現
• AEC‐Q101認定により、自動車グレードの熱ストレスに対応
• 連続ドレイン電流 33A により、高負荷動作に対応
• 0.061Ω のRds(on)により、負荷時の導通損失を低減
• 最大許容電力 192W により、高出力処理に対応
• 72nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作を実現
• AEC‐Q101認定により、自動車グレードの熱ストレスに対応
用途
• トラクションおよび高電圧車両パワーエレクトロニクスに最適
• ハーフブリッジおよびフルブリッジスイッチングトポロジに最適
• 産業用インバータの絶縁ゲートドライバーと併用
• 最大高電圧のスイッチング電源に使用可能
• 自動車システムのモーター駆動ステージに最適
• ハーフブリッジおよびフルブリッジスイッチングトポロジに最適
• 産業用インバータの絶縁ゲートドライバーと併用
• 最大高電圧のスイッチング電源に使用可能
• 自動車システムのモーター駆動ステージに最適
過酷な環境ではどのような温度範囲に耐えられますか?
定格動作温度範囲は-55°C～+150°Cで、低温スタートおよび高温動作条件での使用が可能です。
プリント基板の組み立てには、どのようなパッケージ形式を使用しますか?
このデバイスは、効率的な熱伝達とコンパクトな基板配置を実現するために設計されたPowerPAK 10x12表面実装エンクロージャーに収納されています。
ゲート電圧制限はドライブ設計にどのように影響しますか?
最大ゲート-ソース電圧は20 Vであるため、ゲート過負荷を防止するために、ゲートドライバをこの限界内に保つように指定する必要があります。
RoHS制限のあるアセンブリに適していますか?
このコンポーネントはRoHS要件に準拠しており、制限物質への適合を要求するアセンブリに使用できます。
関連ページ
- Vishay パワーMOSFET 650 V 0.061 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12
- Vishay MOSFET 600 V 0.061 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12
- Vishay MOSFET 650 V 0.061 Ω 4ピン, パッケージ：PowerPAK SO-8
- Vishay パワーMOSFET 650 V 0.05 mΩ 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12
- Vishay MOSFET 650 V 0.193 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12
- Vishay MOSFET 650 V 0.125 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12
- Vishay MOSFET 650 V 0.085 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12
- Vishay MOSFET 650 V 0.105 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12