Vishay MOSFET, Nチャンネル, 45 V, 208 A, 0.0012 Ω, 50.5 nC, 8ピン, パッケージ:PowerPAK

N
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RS品番:
904-976
メーカー型番:
SIR608DP-T1-BE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

208A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

45V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

PowerPAK

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0012Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

104W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

50.5nC

動作温度 Max

150°C

5.15mm

規格 / 承認

ROHS

長さ

6.15mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
IL
VishayパワーMOSFETは、効率的なスイッチングと高電力密度を実現するように設計されています。堅牢な性能プロファイルにより、低オン抵抗を実現し、DC/DCコンバータ用途で最適な動作を実現します。

TrenchFET Gen IV設計により、優れた効率を実現

45 Vドレインソースブレークダウン電圧により、信頼性の高い性能を実現

10 Vで0.00120Ωの低オン抵抗

25 °Cで208 Aの堅牢な連続ドレイン電流

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