Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 100 A, 2 mΩ, 91 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 166-0799
- メーカー型番:
- IPD100N04S402ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 リール(1リール2500個入り) 小計：*
￥389,100
(税抜)
￥428,000
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2027年1月07日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ￥155.64 | ￥389,100 |
| 5000 - 22500 | ￥153.352 | ￥383,380 |
| 25000 - 35000 | ￥151.063 | ￥377,658 |
| 37500 - 47500 | ￥148.774 | ￥371,935 |
| 50000 + | ￥146.484 | ￥366,210 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 166-0799
- メーカー型番:
- IPD100N04S402ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | OptiMOS-T2 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 91nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 最大許容損失Pd | 150W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 6.22mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 2.41mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ OptiMOS-T2 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 91nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
最大許容損失Pd 150W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 6.22mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 2.41mm | ||
長さ 6.73mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
RoHSステータス: 該当なし
- COO（原産国）:
- MY
インフィニオンOptiMOS-T2シリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 40V、最大連続ドレイン電流 100A - IPD100N04S402ATMA1
このMOSFETは、高い熱性能と電気的性能が求められる電子システム向けに設計された大電流スイッチングトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、表面実装用に設計されています。低オン抵抗と効率的な導通特性を備え、自動車および産業環境での電力変換やスイッチング用途に適しています。
特長：
• 2mΩ のRdsにより、導通損失を最小限に抑制
• 連続ドレイン電流 100A により、高負荷用途に対応
• 最大許容電力 150W により、大きな熱負荷に対応
• ゲート電荷 91nC により、スイッチング制御を予測しやすい
• 順方向電圧 1.2V により、負荷時の導通電圧降下を低減
• ゲート耐圧 20V により、過駆動からの保護を補助
• 連続ドレイン電流 100A により、高負荷用途に対応
• 最大許容電力 150W により、大きな熱負荷に対応
• ゲート電荷 91nC により、スイッチング制御を予測しやすい
• 順方向電圧 1.2V により、負荷時の導通電圧降下を低減
• ゲート耐圧 20V により、過駆動からの保護を補助
用途
• AEC‑Q101認定が必要な車載電力段に適合
• 大電流システムのDC-DCコンバータで使用
• 車載電子機器のモータ駆動スイッチに最適
• バッテリ管理および配電に使用可能
• 小型パワーモジュールの表面実装アセンブリで使用
• 大電流システムのDC-DCコンバータで使用
• 車載電子機器のモータ駆動スイッチに最適
• バッテリ管理および配電に使用可能
• 小型パワーモジュールの表面実装アセンブリで使用
基板レイアウトでは、どのようなパッケージタイプを考慮する必要がありますか？
このデバイスはTO‑252パッケージで、表面実装用に設計されているため、ランドパターンは3ピン構成とサーマルパッド要件に適合させる必要があります。
幅広い温度条件でどのように動作しますか？
-55°C～175°C で動作し、温度変化が大きい環境や高い周囲温度環境に適しています。
どのような極性とチャンネル配置を使用しますか？
Nチャンネルエンハンスメント‑モードデバイスで、導通には正のゲート-ソース間電圧が必要で、標準的なNチャンネルスイッチング特性を備えています。
考慮すべきドレイン-ソース間電圧とゲート電圧の制限はありますか？
最大ドレイン-ソース間電圧は 40V、最大ゲート-ソース間電圧は 20V のため、過渡時にこれらの制限を超えないよう設計する必要があります。
関連ページ
- Infineon MOSFET 40 V 2 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 40 V 7.30 mΩ, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 40 V 3.8 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 1.7 A, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 40 V 5.2 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 40 V 3.2 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 60 V 3.5 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 40 V 7.9 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252