Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 50 A, 7.9 mΩ, 17.2 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

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RS品番:
166-1132
メーカー型番:
IPD50N04S408ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

OptiMOS-T2

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

46W

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

-20V, +20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

17.2nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

高さ

2.3mm

規格 / 承認

No

長さ

6.5mm

幅

6.22mm

自動車規格

AEC-Q101

RoHSステータス: 該当なし

COO(原産国):
MY

インフィニオンOptiMOS-T2シリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 40V、最大連続ドレイン電流 50A - IPD50N04S408ATMA1


このMOSFETは、表面‑実装用途の大‑電流スイッチング向けに設計された 40V N‑チャンネルパワートランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、車載環境のストレス要件を満たすよう設計されているため、効率的な導通と高い耐熱性が求められる電子電力段に適しています。

特長:


• 7.9mΩ のRds(on)により、伝導損失を低減し、効率を向上
• 連続ドレイン電流 50A により、大電流スイッチングが可能
• 標準ゲート電荷 17.2nC により、スイッチング遷移を高速化
• 最大許容電力 46W により、動作時の熱負荷に対応
• 最大ゲート耐圧 20V により、ゲート過電圧から保護
• エンハンスメント‑モードN‑チャンネルにより、ゲート‑駆動による制御が容易

用途


• 12V 車載配電段に適合
• 同期降圧コンバータ出力段に最適
• モータ‑駆動ハーフ‑ブリッジ回路で使用
• 大‑電流DC‑DC変換モジュールに使用可能
• 産業用制御ユニットの電源管理に適合

動作時に対応できる周囲温度範囲はどのくらいですか?


-55°C~175°C で動作し、極端な低温始動や高‑温環境に対応します。

パッケージは実装と熱経路にどのような影響を与えますか?


TO‑252表面‑実装パッケージは小型で、放熱のためにプリント基板への直接的な熱経路を備えています。

安定したスイッチングには、どのようなゲート駆動を考慮する必要がありますか?


駆動電圧はゲート‑ソース間定格の ±20V 以内に保ち、低いRds(on)を得るためにチャンネルを完全にオンできる十分な電圧を印加する必要があります。

このデバイスは連続的な高負荷下でどのように動作しますか?


最大 50A の連続ドレイン電流に対応し、最大 46W の熱を放散するため、ジャンクション温度を適切に保つにはプリント基板の熱設計が必要です。

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