Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 13.4 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, SI4403CDY-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
121-9657
メーカー型番:
SI4403CDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

13.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

Si4403CDY

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

20mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

60nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

最大許容損失Pd

5W

順方向電圧 Vf

-0.66V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

5mm

幅

4 mm

高さ

1.55mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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