2 Vishay MOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 6 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4532CDY-T1-GE3 パッケージSOIC
- RS品番:
- 787-9020
- メーカー型番:
- SI4532CDY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 20 - 100 | ￥106.40 | ￥2,128 |
| 120 - 1180 | ￥92.75 | ￥1,855 |
| 1200 - 1580 | ￥79.25 | ￥1,585 |
| 1600 - 1980 | ￥66.85 | ￥1,337 |
| 2000 + | ￥53.30 | ￥1,066 |
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- RS品番:
- 787-9020
- メーカー型番:
- SI4532CDY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP, タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 140mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 6nC | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 最大許容損失Pd | 2.78W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| 幅 | 4 mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP, タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 140mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6nC | ||
動作温度 Min 150°C | ||
最大許容損失Pd 2.78W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max -55°C | ||
幅 4 mm | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
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