2 Vishay MOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 6 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4532CDY-T1-GE3 パッケージSOIC

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梱包形態
RS品番:
787-9020
メーカー型番:
SI4532CDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

最大連続ドレイン電流Id

6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

140mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

2.78W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

150°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6nC

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

-55°C

幅

4 mm

長さ

5mm

規格 / 承認

No

高さ

1.5mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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