Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 13.4 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC
- RS品番:
- 169-5792
- メーカー型番:
- SI4403CDY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 25000 - 60000 | ¥57.499 | ¥143,748 |
| 62500 - 122500 | ¥56.628 | ¥141,570 |
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- RS品番:
- 169-5792
- メーカー型番:
- SI4403CDY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 13.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| シリーズ | Si4403CDY | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 20mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 60nC | |
| 順方向電圧 Vf | -0.66V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 5W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 8 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.55mm | |
| 幅 | 4 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 13.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
シリーズ Si4403CDY | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 20mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 60nC | ||
順方向電圧 Vf -0.66V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 5W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 8 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.55mm | ||
幅 4 mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
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