2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 4 A, 表面 20 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI9933CDY-T1-GE3 パッケージSOIC

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梱包形態
RS品番:
710-3395
メーカー型番:
SI9933CDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

58mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

150°C

最大許容損失Pd

2W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

17nC

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

トランジスタ構成

分離式

規格 / 承認

No

長さ

5mm

高さ

1.55mm

幅

4 mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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