Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPQFN, IRFH5006TRPBF
- RS品番:
- 130-0973
- メーカー型番:
- IRFH5006TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋5個入り) 小計：*
￥2,142.00
(税抜)
￥2,356.20
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫限り
- 10 は海外在庫あり（最終在庫）
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | ￥428.40 | ￥2,142 |
| 125 - 1195 | ￥401.20 | ￥2,006 |
| 1200 - 1595 | ￥375.00 | ￥1,875 |
| 1600 - 3195 | ￥347.80 | ￥1,739 |
| 3200 + | ￥321.40 | ￥1,607 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 130-0973
- メーカー型番:
- IRFH5006TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.1mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 69nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 156W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 0.85mm | |
| 長さ | 6mm | |
| 幅 | 5 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.1mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 69nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 156W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 0.85mm | ||
長さ 6mm | ||
幅 5 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V
Infineon のディスクリート HEXFET ® パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。