Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 82 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPQFN, IRFH8325TRPBF

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋50個入り) 小計：*

￥3,407.00

(税抜)

￥3,747.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 2,950 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
50 - 150￥68.14￥3,407
200 - 1700￥63.98￥3,199
1750 - 2450￥59.78￥2,989
2500 - 2950￥55.60￥2,780
3000 +￥51.40￥2,570

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
217-2613
メーカー型番:
IRFH8325TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

82A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PQFN

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

3.6W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

32nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

6.02mm

幅

4.98 mm

高さ

1.17mm

自動車規格

なし

Infineon 30 V シングル N チャンネル HEXFET パワー MOSFET は、 5 mm x 6 mm の PQFN パッケージに収容されています。

ディストリビューションパートナーからの広範な可用性を実現するように最適化されて

JEDEC 規格に準拠した製品認定

ロジックレベル： 5 V ゲート駆動電圧に最適化されています

業界標準の表面実装電源パッケージ

関連ページ