Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 25 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPQFN, IRFH5250TRPBF

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梱包形態
RS品番:
222-4745
メーカー型番:
IRFH5250TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

25V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

PQFN

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.15mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

3.6W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

52nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

6mm

高さ

0.9mm

幅

4.75 mm

自動車規格

なし

InfineonのHEXFET®パワーMOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれ、「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。

低RDSon (1.15 mΩ)
100%Rgテスト済み<

低プロファイル (0.9 mm)

低プロファイル<(0.9 Ω mm)

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