Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 25 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPQFN, IRFH5250TRPBF
- RS品番:
- 222-4745
- メーカー型番:
- IRFH5250TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋10個入り) 小計：*
￥2,440.00
(税抜)
￥2,684.00
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 16,000 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 190 | ￥244.00 | ￥2,440 |
| 200 - 1890 | ￥218.00 | ￥2,180 |
| 1900 - 2490 | ￥191.90 | ￥1,919 |
| 2500 - 3190 | ￥165.80 | ￥1,658 |
| 3200 + | ￥140.70 | ￥1,407 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 222-4745
- メーカー型番:
- IRFH5250TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 25V | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.15mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 3.6W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 52nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 6mm | |
| 高さ | 0.9mm | |
| 幅 | 4.75 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 25V | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.15mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 3.6W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 52nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 6mm | ||
高さ 0.9mm | ||
幅 4.75 mm | ||
自動車規格 なし | ||
InfineonのHEXFET®パワーMOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれ、「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。
低RDSon (1.15 mΩ)
100%Rgテスト済み<
低プロファイル (0.9 mm)
低プロファイル<(0.9 Ω mm)