Nexperia Pチャンネル MOSFET-12 V 3.2 A 表面実装 パッケージDFN1010D-3 4 ピン
- RS品番:
- 151-3036
- メーカー型番:
- PMXB65UPEZ
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
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単価: 購入単位は5000 個
¥13.596
(税抜)
¥14.956
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
5000 - 20000 | ¥13.596 | ¥67,980.00 |
25000 - 45000 | ¥13.19 | ¥65,950.00 |
50000 - 120000 | ¥12.487 | ¥62,435.00 |
125000 - 245000 | ¥12.135 | ¥60,675.00 |
250000 + | ¥11.784 | ¥58,920.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 151-3036
- メーカー型番:
- PMXB65UPEZ
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
その他
詳細情報
PチャネルMOSFET: Nチャネルがとにかく適さない設計にぴったりフィットします。Nexperiaの各種MOSFET製品には、Nexperiaの業界をリードするトレンチ技術が採用されたPチャネルデバイスファミリが多数揃っています。定格12 → 70 V、ローパワ又はミディアムパワーパッケージ入りで、高効率と高信頼性を兼ね備えています。
12 V、PチャネルMOSFET: トレンチMOSFET技術採用のPチャネル拡張モード電界効果トランジスタ(FET)で、リードレス超小型DFN1010D-3 (SOT1215)表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージ入りです。
トレンチMOSFET技術
リードレス超小型及び超薄型SMDプラスチックパッケージ: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm
露出したドレインパッドにより、優れた熱伝導
静電気放電(ESD)保護: 1.5 kV HBM
ドレインソースオン状態抵抗RDSon = 59 mΩ
携帯用途に適した超低ゲート-ソースしきい値電圧VGS(th) = -0.68 V
リードレス超小型及び超薄型SMDプラスチックパッケージ: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm
露出したドレインパッドにより、優れた熱伝導
静電気放電(ESD)保護: 1.5 kV HBM
ドレインソースオン状態抵抗RDSon = 59 mΩ
携帯用途に適した超低ゲート-ソースしきい値電圧VGS(th) = -0.68 V
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | P |
最大連続ドレイン電流 | 3.2 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | -12 V |
パッケージタイプ | DFN1010D-3 |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 4 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 880 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | -1V |
最低ゲートしきい値電圧 | -0.4V |
最大パワー消費 | 8330 mW |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | 8 V |
長さ | 1.15mm |
動作温度 Max | +150 °C |
幅 | 1.05mm |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 6.7 nC @ 10 V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
動作温度 Min | -55 °C |
高さ | 0.36mm |
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