Infineon MOSFET, Nチャンネル, 25 V, 40 A, 8.1 mΩ, 9.1 nC, 8ピン, パッケージ：TSDSON
- RS品番:
- 165-5979
- メーカー型番:
- BSZ060NE2LSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 50000 - 70000 | ￥44.453 | ￥222,265 |
| 75000 - 95000 | ￥43.779 | ￥218,895 |
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- RS品番:
- 165-5979
- メーカー型番:
- BSZ060NE2LSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 40A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 25V | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| パッケージ型式 | TSDSON | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 8.1mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.87V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 26W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 3.4mm | |
| 幅 | 3.4mm | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 40A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 25V | ||
シリーズ OptiMOS | ||
パッケージ型式 TSDSON | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 8.1mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 9.1nC | ||
順方向電圧 Vf 0.87V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 26W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 3.4mm | ||
幅 3.4mm | ||
高さ 1.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
RoHSステータス: 該当なし
- COO（原産国）:
- CN
インフィニオン OptiMOS シリーズ MOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 25V、最大連続ドレイン電流 40A - BSZ060NE2LSATMA1
このMOSFETは、コンパクトな電子システムにおける電力スイッチングおよび電力管理のために設計された表面実装Nチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、低伝導損失と効率的なスイッチングが必要な高電流用途向けに設計されています。このデバイスは8ピンTSDSONパッケージで提供され、基板レイアウトの高密度アセンブリおよび熱配線に適しています。
特長：
• 8.1mΩの極めて低いオン抵抗により、導通損失を低減
• 40Aの連続定格ドレイン電流により、大電流負荷をサポート
• 最大許容電力26Wにより、大きな熱負荷に対応
• 標準9.1nCのゲート電荷により効率的なスイッチング性能を実現
• 順方向電圧0.87Vにより、負荷時の電圧降下を最小限に抑制
• 最大20Vのゲート-ソース間電圧許容差により、柔軟な駆動マージンに対応
• 40Aの連続定格ドレイン電流により、大電流負荷をサポート
• 最大許容電力26Wにより、大きな熱負荷に対応
• 標準9.1nCのゲート電荷により効率的なスイッチング性能を実現
• 順方向電圧0.87Vにより、負荷時の電圧降下を最小限に抑制
• 最大20Vのゲート-ソース間電圧許容差により、柔軟な駆動マージンに対応
用途
• 同期整流型降圧コンバータの電力変換段階に最適
• 高電流DC-DCレギュレータモジュールに最適
• サーバーおよび通信電力分配システムで使用
• バッテリー管理および充電回路に使用可能
• モータードライブプリドライバ段階に最適
• 高電流DC-DCレギュレータモジュールに最適
• サーバーおよび通信電力分配システムで使用
• バッテリー管理および充電回路に使用可能
• モータードライブプリドライバ段階に最適
展開ではどのような熱範囲が想定されますか？
このデバイスは、-55°C～150°Cの範囲で動作するように仕様が定められており、温度変動の激しい環境でも使用可能です。
このパッケージは、プリント基板の統合にどのように有用ですか？
TSDSONフォームファクターは、低背設計の表面実装フットプリントを実現し、コンポーネントの近接配置と基板銅への直接熱伝導を容易にします。
ゲートドライブに関してどのような考慮事項が必要ですか？
このトランジスタは、最大20Vまでのゲート-ソース間電圧をサポートし、
高速スイッチングに必要な十分な電荷を供給しつつ、この制限範囲内にとどまるゲートドライバを使用します。
レイアウト用に利用可能なピン数はいくつですか？
8ピンを備え、ドレイン、ソース、ゲートルーティングの複数の接続が可能で、電流経路と熱性能を最適化します。
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