Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 18 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-262

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RS品番:
165-6089
メーカー型番:
SIHF640L-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

シリーズ

SiHF640L

パッケージ型式

TO-262

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

180mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

70nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

130W

動作温度 Max

150°C

高さ

11.3mm

規格 / 承認

No

4.83 mm

長さ

10.67mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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