STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 11 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- RS品番:
- 165-6548
- メーカー型番:
- STB13N60M2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 1000 - 1000 | ￥216.923 | ￥216,923.00 |
| 2000 - 9000 | ￥211.651 | ￥211,651.00 |
| 10000 - 14000 | ￥206.379 | ￥206,379.00 |
| 15000 - 19000 | ￥201.107 | ￥201,107.00 |
| 20000 + | ￥195.834 | ￥195,834.00 |
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- RS品番:
- 165-6548
- メーカー型番:
- STB13N60M2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
データシート
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
NチャンネルMDmesh™ M2シリーズ、STMicroelectronics
STMicroelecronics製の高電圧パワーMOSFEシリーズです。 低ゲート電荷と優れた出力静電容量が特長のMDmesh M2シリーズは、共鳴タイプのスイッチング電源(LLCコンバータ)に最適です。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 11 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
| シリーズ | MDmesh M2 |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 380 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最大パワー消費 | 110 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -25 V, +25 V |
| 長さ | 10.4mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 幅 | 9.35mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| 高さ | 4.6mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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