STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 13 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
165-6550
メーカー型番:
STB18N60M2
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

13A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

MDmesh M2

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

280mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

110W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

21.5nC

順方向電圧 Vf

1.6V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

動作温度 Max

150°C

幅

9.35 mm

高さ

4.6mm

長さ

10.4mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

NチャンネルMDmesh™ M2シリーズ、STMicroelectronics


STMicroelecronics製の高電圧パワーMOSFEシリーズです。 低ゲート電荷と優れた出力静電容量が特長のMDmesh M2シリーズは、共鳴タイプのスイッチング電源(LLCコンバータ)に最適です。

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


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