Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 30 V, 100 A, 9.6 mΩ, 61 nC, 8ピン, パッケージ：TDSON
- RS品番:
- 825-9266
- Distrelec 品番:
- 304-44-409
- メーカー型番:
- BSC060P03NS3EGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋10個入り) 小計：*
￥2,112.00
(税抜)
￥2,323.20
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 1,140 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | ￥211.20 | ￥2,112 |
| 250 - 2390 | ￥186.10 | ￥1,861 |
| 2400 - 3190 | ￥161.00 | ￥1,610 |
| 3200 - 3990 | ￥136.10 | ￥1,361 |
| 4000 + | ￥111.00 | ￥1,110 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 825-9266
- Distrelec 品番:
- 304-44-409
- メーカー型番:
- BSC060P03NS3EGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| シリーズ | OptiMOS P | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 9.6mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 83W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25V | |
| 順方向電圧 Vf | -1.1V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 61nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6.35mm | |
| 幅 | 5.35mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
シリーズ OptiMOS P | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9.6mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 83W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25V | ||
順方向電圧 Vf -1.1V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 61nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6.35mm | ||
幅 5.35mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオン OptiMOS Pシリーズ +MOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 30V、最大連続ドレイン電流 100A - BSC060P03NS3EGATMA1
このMOSFETは、表面実装アセンブリにおける大電流・低電圧の用途向けに設計された電力スイッチングトランジスタです。過酷な環境に適した幅広い温度範囲で動作し、基板の低背設計向けのコンパクトなパッケージを維持しながら、大幅な連続電流容量を実現します。
特長：
• 100Aの連続ドレイン電流により、高電流のスイッチングを長時間維持可能
• 30Vのドレイン-ソース間定格により、低電圧電源段階をサポート
• 9.6mΩ Rds(on)により導通損失と発熱を低減
• 83Wの最大許容電力により、大幅な電力処理を実現
• 61nCの標準ゲート電荷により、スイッチングダイナミクスを制御可能
• 25Vゲート-ソース制限により、ゲートドライブのヘッドルームを確保し、堅牢性を発揮
• 30Vのドレイン-ソース間定格により、低電圧電源段階をサポート
• 9.6mΩ Rds(on)により導通損失と発熱を低減
• 83Wの最大許容電力により、大幅な電力処理を実現
• 61nCの標準ゲート電荷により、スイッチングダイナミクスを制御可能
• 25Vゲート-ソース制限により、ゲートドライブのヘッドルームを確保し、堅牢性を発揮
用途
• 電源の同期降圧コンバータに適合
• 大電流の処理能力が求められるDCモータードライブに最適
• サーバーと通信機器のポイントオブロードレギュレータに使用
• エネルギー貯蔵におけるバッテリー管理システムに使用可能
• コンパクトなプリント基板上の高電流ロードスイッチに最適
• 大電流の処理能力が求められるDCモータードライブに最適
• サーバーと通信機器のポイントオブロードレギュレータに使用
• エネルギー貯蔵におけるバッテリー管理システムに使用可能
• コンパクトなプリント基板上の高電流ロードスイッチに最適
動作時にどの程度の温度範囲に耐えられますか？
-55°C～150°Cの温度範囲で動作することが規定されており、温度変動の激しい環境でも使用可能です。
基板アセンブリには、どのパッケージと取付方式を使用しますか？
このデバイスは表面実装配置および低背設計アセンブリ用に設計された8ピンTDSONパッケージで提供されます。
チャンネルタイプと動作モードは、一般的な電力トポロジに適していますか？
エンハンスメントモードでPチャンネルを採用し、制御された伝導特性を備えたPチャンネルデバイスが必要な設計に適しています。
このコンポーネントは、狭い基板レイアウトに対応するためにどのくらいコンパクトですか？
パッケージ高さは1.1mmで、フットプリントにより高電流性能を維持しながら、コンパクトな配置をサポートします。
関連ページ
- Infineon MOSFET 30 V 9.6 mΩ 8ピン, パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFET 30 V 15 mΩ パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFET 80 V 3 mΩ 8ピン, パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFET 30 V 4.6 mΩ 8ピン, パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFET 40 V 1.4 mΩ 8ピン, パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFETおよびダイオード 40 V 1.4 mΩ 8ピン, パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFET 30 V 18 Ω パッケージ：TSDSON
- Infineon MOSFET 30 V 5 mΩ パッケージ：TDSON