2 Vishay MOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 6.8 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC

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RS品番:
165-7255
メーカー型番:
SI4599DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN, タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

Si4599DY

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.045Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

3.1W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

25nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

分離式

幅

4 mm

規格 / 承認

JEDEC JS709A, RoHS

長さ

5mm

高さ

1.55mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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