2 Vishay MOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 6.8 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥128,452.50

(税抜)

￥141,297.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
生産終了 在庫限り
  • 7,500 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 10000￥51.381￥128,453
12500 - 22500￥50.86￥127,150
25000 - 60000￥50.338￥125,845
62500 - 122500￥49.817￥124,543
125000 +￥49.296￥123,240

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
165-7255
メーカー型番:
SI4599DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN, タイプP

最大連続ドレイン電流Id

6.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

Si4599DY

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.045Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

3.1W

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

25nC

動作温度 Min

-55°C

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

150°C

幅

4 mm

高さ

1.55mm

規格 / 承認

JEDEC JS709A, RoHS

長さ

5mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ