2 Vishay MOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 8 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC

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5000 - 22500¥96.617¥241,543
25000 - 35000¥95.453¥238,633
37500 - 47500¥94.317¥235,793
50000 +¥93.207¥233,018

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RS品番:
165-7276
メーカー型番:
SI4564DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN, タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

20mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

20.5nC

動作温度 Min

150°C

最大許容損失Pd

3.2W

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

高さ

1.55mm

長さ

5mm

4 mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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