2 Vishay MOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 6.8 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4599DY-T1-GE3 パッケージSOIC

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋20個入り) 小計：*

￥2,414.00

(税抜)

￥2,655.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 9,520 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
20 - 100￥120.70￥2,414
120 - 1180￥105.95￥2,119
1200 - 1580￥91.20￥1,824
1600 - 1980￥75.55￥1,511
2000 +￥60.85￥1,217

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
812-3233
メーカー型番:
SI4599DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN, タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

Si4599DY

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.045Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

3.1W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

25nC

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

分離式

長さ

5mm

幅

4 mm

高さ

1.55mm

規格 / 承認

JEDEC JS709A, RoHS

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ