2 Vishay MOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 6.8 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4599DY-T1-GE3 パッケージSOIC
- RS品番:
- 812-3233
- メーカー型番:
- SI4599DY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 812-3233
- メーカー型番:
- SI4599DY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN, タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6.8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | Si4599DY | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.045Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 25nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 3.1W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | JEDEC JS709A, RoHS | |
| 高さ | 1.55mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN, タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 6.8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ Si4599DY | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.045Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 25nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 3.1W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 JEDEC JS709A, RoHS | ||
高さ 1.55mm | ||
長さ 5mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
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