Vishay MOSFET, タイプN, タイプPチャンネル, 分離式, 40 V, 6.8 A, 0.045 Ω, 25 nC, 8ピン, パッケージ：SOIC
- RS品番:
- 812-3233
- メーカー型番:
- SI4599DY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋20個入り) 小計：*
￥2,840.00
(税抜)
￥3,124.00
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫限り
- 9,180 は海外在庫あり（最終在庫）
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 20 - 100 | ￥142.00 | ￥2,840 |
| 120 - 1180 | ￥124.50 | ￥2,490 |
| 1200 - 1580 | ￥107.30 | ￥2,146 |
| 1600 - 1980 | ￥88.85 | ￥1,777 |
| 2000 + | ￥71.60 | ￥1,432 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 812-3233
- メーカー型番:
- SI4599DY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN, タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6.8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| シリーズ | Si4599DY | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.045Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 3.1W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 25nC | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | JEDEC JS709A, RoHS | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.55mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN, タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 6.8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
シリーズ Si4599DY | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.045Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 3.1W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 25nC | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 JEDEC JS709A, RoHS | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.55mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
関連ページ
- 2 Vishay MOSFET 分離式 タイプPチャンネル 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC
- 2 Vishay MOSFET 分離式 タイプPチャンネル 表面 40 V SI4564DY-T1-GE3 パッケージSOIC
- 2 Vishay MOSFET 分離式 タイプNチャンネル 表面 40 V SI4554DY-T1-GE3 パッケージSOIC
- 2 Vishay パワーMOSFET 分離式 6.5 A 8-Pin エンハンスメント型, SI4909DY-T1-GE3 パッケージSOIC
- 2 onsemi パワーMOSFET 分離式 タイプPチャンネル 表面 30 V SI4532DY パッケージSOIC
- 2 Vishay MOSFET 分離式 タイプNチャンネル 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC
- 2 Vishay MOSFET 分離式 タイプPチャンネル 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC
- Vishay MOSFET 36 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSOIC, SI4154DY-T1-GE3