STMicroelectronics MDmesh II パワーMOSFET, タイプNチャンネル 500 V, 17 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 168-7555
- メーカー型番:
- STB23NM50N
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 168-7555
- メーカー型番:
- STB23NM50N
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MDmesh II パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 17A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 500V | |
| シリーズ | MDmesh | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.19Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±25 V | |
| 最大許容損失Pd | 125W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 45nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 10.75mm | |
| 高さ | 4.6mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 10.4 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MDmesh II パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 17A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 500V | ||
シリーズ MDmesh | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.19Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±25 V | ||
最大許容損失Pd 125W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 45nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 10.75mm | ||
高さ 4.6mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 10.4 mm | ||
自動車規格 なし | ||
NチャンネルMDmesh™、500 V、STMicroelectronics
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
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