Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, 30 V, 8.1 A, 24 mΩ, 32 nC, 8ピン, パッケージ：SOIC
- RS品番:
- 919-0288
- メーカー型番:
- SI4435DDY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
取扱停止中
申し訳ありませんが、この商品の入荷は未定です。
- RS品番:
- 919-0288
- メーカー型番:
- SI4435DDY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8.1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| シリーズ | Si4435DDY | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 24mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 32nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 2.5W | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 4mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 8.1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
シリーズ Si4435DDY | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 24mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 32nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 2.5W | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 4mm | ||
高さ 1.5mm | ||
長さ 5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
関連ページ
- Vishay MOSFET 30 V 24 mΩ 8ピン, パッケージ：SOIC
- Vishay MOSFET 分離式 8 A 32 nC パッケージ：SOIC
- onsemi MOSFET 30 V 35 mΩ 8ピン, パッケージ：SOIC
- Vishay パワーMOSFET 分離式 7.5 A 14.5 nC パッケージ：SOIC
- Vishay MOSFET 30 V 16.5 mΩ 8ピン, パッケージ：SO-8
- Vishay MOSFET 30 V 20.5 mΩ 8ピン, パッケージ：SO-8
- onsemi MOSFET 30 V 20 mΩ 8ピン, パッケージ：SOIC
- Infineon MOSFET 30 V 35 mΩ 8ピン, パッケージ：SO-8