Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 600 V, 25 A, 125 mΩ, 31 nC, 3ピン, パッケージ:TO-263

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RS品番:
204-7245
メーカー型番:
SIHB125N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

25A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

EF

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

125mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

179W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

31nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Max

150°C

高さ

4.06mm

長さ

14.61mm

規格 / 承認

RoHS

幅

9.65mm

自動車規格

なし

Vishay EFシリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧600V、最大連続ドレイン電流25A - SIHB125N60EF-GE3


このパワーMOSFETは、堅牢なドレイン電流と熱処理が必要な表面実装用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングトランジスタです。幅広い環境範囲で動作し、産業および商業用電子機器のスイッチングおよび電力変換作業向けです。このデバイスは、表面実装アセンブリと互換性のあるTO-263パッケージで提供され、RoHS規制に適合しています。

特長:


• 定格電圧 600V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 25A の連続ドレイン電流により、大負荷電流に対応
• 179 Wの消費電力により、持続的な熱性能を実現
• 125mΩ のRds(on)により、動作時の導通損失を低減
• 31nCの標準ゲート充電により、効率的なゲートドライブタイミングを実現
• 最大30 VのVgsにより、制御用の広いゲートドライブマージンを実現

用途


• 高電圧電源の一次側SMPSスイッチに最適
• 高電圧を必要とする力率補正段階に最適
• モータードライブフロントエンドで使用し、高電圧に対応
• 産業用コンバータのインバータレッグスイッチに使用可能
• 高電圧スイッチング容量を必要とするLEDドライバーに最適

このデバイスは、使用中にどのような極端な温度に耐えられますか?


定格動作温度は-55°C~150°Cで、過酷な熱環境での使用が可能です。

このパッケージには、どのくらいの電気接続がありますか?


このデバイスは、一般的なMOSFETトポロジおよび基板レイアウトに適した3ピン構成を採用しています。

このデバイスは自動車認定プログラムに適していますか?


自動車規格のコンポーネントとして指定されておらず、明確な自動車認証も受けていません。

熱および機械的安定性を確保するには、どのような取り付け方法が必要ですか?


TO-263形式の表面実装用に設計されており、プリント基板の銅部分への熱伝達を容易にします。

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