Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 29 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥1,019,514.00

(税抜)

￥1,121,466.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年9月21日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 3000￥339.838￥1,019,514
6000 - 27000￥331.55￥994,650
30000 - 42000￥327.555￥982,665
45000 - 57000￥323.656￥970,968
60000 +￥319.848￥959,544

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
204-7204
メーカー型番:
SIHB105N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

29A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

SiHB105N60EF

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

102mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

208W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

53nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

長さ

10.67mm

高さ

15.88mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay EF シリーズパワー MOSFET （高速ボディダイオード付）は、第 4 世代 Eスイッチング損失及び導電損失を低減しています。

低性能指数(FOM): Ron x Qg

低実効静電容量（ Co （ er ）

関連ページ