Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 19 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
188-4872
メーカー型番:
SIHB22N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

19A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

SiHB22N60EF

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

182mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

48nC

最大許容損失Pd

179W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

9.65 mm

高さ

4.57mm

長さ

10.41mm

自動車規格

なし

EF シリーズパワー MOSFET 、高速ボディダイオード付きです。

低性能指数(FOM): Ron x Qg

低入力静電容量(Ciss)

スイッチング損失及び導電損失を低減

用途

サーバー / 通信用の電源

スイッチモード電源(SMPS)

力率補正電源(PFC)

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