Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 19 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 188-4872
- メーカー型番:
- SIHB22N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 188-4872
- メーカー型番:
- SIHB22N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 19A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | SiHB22N60EF | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 182mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 48nC | |
| 最大許容損失Pd | 179W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.41mm | |
| 高さ | 4.57mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 19A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ SiHB22N60EF | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 182mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 48nC | ||
最大許容損失Pd 179W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.41mm | ||
高さ 4.57mm | ||
自動車規格 なし | ||
EF シリーズパワー MOSFET 、高速ボディダイオード付きです。
低性能指数(FOM): Ron x Qg
低入力静電容量(Ciss)
スイッチング損失及び導電損失を低減
用途
サーバー / 通信用の電源
スイッチモード電源(SMPS)
力率補正電源(PFC)
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