Vishay Siliconix MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 24.5 A エンハンスメント型, PCBマウント, 8-Pin パッケージSO-8L, SQJ872EP-T1_GE3
- RS品番:
- 178-3903
- メーカー型番:
- SQJ872EP-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋10個入り) 小計：*
￥1,843.00
(税抜)
￥2,027.30
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
納期未定
- 2,920 は 2026年6月22日 に入荷予定
在庫限り。入荷未定。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 140 | ￥184.30 | ￥1,843 |
| 150 - 1390 | ￥162.60 | ￥1,626 |
| 1400 - 1890 | ￥140.40 | ￥1,404 |
| 1900 - 2390 | ￥118.80 | ￥1,188 |
| 2400 + | ￥96.10 | ￥961 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 178-3903
- メーカー型番:
- SQJ872EP-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay Siliconix
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay Siliconix | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 24.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| シリーズ | SQJ872EP | |
| パッケージ型式 | SO-8L | |
| 取付タイプ | PCBマウント | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0395Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 55W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 14nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 5mm | |
| 長さ | 5.99mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 1.07mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay Siliconix | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 24.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
シリーズ SQJ872EP | ||
パッケージ型式 SO-8L | ||
取付タイプ PCBマウント | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0395Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 55W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 14nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 5mm | ||
長さ 5.99mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 1.07mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
RoHSステータス: 対象外
- COO（原産国）:
- CN
Vishay Siliconix SQJ872EPシリーズMOSFET、ドレインソース電圧150 V、最大連続ドレイン電流24.5 A - SQJ872EP-T1_GE3
このMOSFETは、要求の厳しい電子システムでの電源スイッチング用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。自動車用途に適した幅広い温度範囲で動作し、基板実装用のコンパクトなSO-8Lパッケージで提供されます。このデバイスは、堅牢な電流処理と高電圧での効率的なスイッチングを必要とする回路向けに設計されています。
特長：
• 150 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現
• 24.5 Aの連続ドレイン電流により、ヘビー負荷動作をサポート
• 0.0395Ω Rds(on)により、導通損失を低減し、効率を向上
• 14 nC標準ゲート充電により、応答性の高いスイッチング動作を実現
• 55 Wの消費電力により、持続的な熱負荷を実現
• 20 Vゲート許容差により、柔軟なゲートドライブ電圧を実現
• 24.5 Aの連続ドレイン電流により、ヘビー負荷動作をサポート
• 0.0395Ω Rds(on)により、導通損失を低減し、効率を向上
• 14 nC標準ゲート充電により、応答性の高いスイッチング動作を実現
• 55 Wの消費電力により、持続的な熱負荷を実現
• 20 Vゲート許容差により、柔軟なゲートドライブ電圧を実現
用途
• 高電圧スイッチングを必要とする自動車配電モジュールに最適
• 産業オートメーションシステムのDC-DCコンバータに最適
• 電気機器および機械機器のモータードライブステージに使用
• テレマティクスおよび制御ユニットの電源スイッチングに使用可能
• 産業オートメーションシステムのDC-DCコンバータに最適
• 電気機器および機械機器のモータードライブステージに使用
• テレマティクスおよび制御ユニットの電源スイッチングに使用可能
信頼性の高い組み立てには、どのような取り付け方法を使用すべきですか?
このデバイスは、SO-8Lフットプリントで基板取り付けを目的としており、安定した電気的および熱的接触を実現します。
このデバイスは、幅広い極端な温度下でどのように性能を発揮しますか?
定格動作温度は-55°C～175°Cで、自動車および産業環境で発生する過酷な熱環境に対応します。
どのような特性がスイッチング損失に最も直接的に影響しますか?
スイッチング損失は、14 nCの標準ゲート電荷および過渡時のRds(on)とドレイン電圧の組み合わせによって影響されます。
回路接続用のピン数はどれくらいですか?
このパッケージには、標準SO-8L基板レイアウトとルーティング要件に対応する8つのピンがあります。
関連ページ
- Vishay Siliconix MOSFET 24.5 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSO-8, SQJ872EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix MOSFET 24.5 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSO-8
- Vishay Siliconix MOSFET 30 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSO-8, SQJ415EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix MOSFET 16 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSO-8, SQJ481EP-T1_GE3
- 2 Vishay Siliconix MOSFET デュアル タイプPチャンネル 表面 40 V SQJ504EP-T1_GE3 パッケージSO-8
- Vishay Siliconix MOSFET 30 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSO-8
- Vishay Siliconix MOSFET 16 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSO-8
- Vishay Siliconix MOSFET 9.4 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSO-8, SQJ431AEP-T1_GE3